| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SC-89-6 |
| 功耗 | 0.625 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 100pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 446 mW |
| 下降时间 | 1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.7 mm |
| 宽度 | 1.2 mm |
| 高度 | 0.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.01 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY2000PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDY2000PZ, 350 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
