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FDT86113LZ
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FDT86113LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT86113LZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
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FDT86113LZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻0.075 Ω
极性N-Channel
功耗2.2 W
阈值电压1.7 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)3.3A
上升时间1.3 ns
输入电容值(Ciss)315pF @50V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间1.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.2W (Ta)
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FDT86113LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.7 mm
宽度6.7 mm
高度1.7 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDT86113LZ 数据手册

FDT86113LZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.26 MByte
FDT86113LZ 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.31 MByte
FDT86113LZ 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.17 MByte

FDT86113 数据手册

FDT86113LZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT86113LZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
FDT86113LZ 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86113LZ, 3.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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