STP20NK50Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	STMICROELECTRONICS STP20NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V
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STP20NK50Z 数据手册 (7 页)

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STP20NK50Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	500 V
额定电流	17.0 A
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	270 mΩ
极性	N-Channel
功耗	190 W
阈值电压	3.75 V
输入电容	2600 pF
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	17.0 A
上升时间	20 ns
输入电容值(Ciss)	2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	190 W
下降时间	15 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	190W (Tc)

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STP20NK50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	15.75 mm
工作温度	-50℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP20NK50Z 符合标准

STP20NK50Z 概述

STP20NK50Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP20NK50Z 产品封装文件

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N沟道500V -0.23ヘ - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 500V -0.23ヘ- 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

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