| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 7.9 Ω |
| 功耗 | 350 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 输入电容 | 11 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 11pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
数字场效应晶体管， P沟道 Digital FET, P-Channel
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 V
ON Semiconductor（安森美）
FD V302P 系列 P沟道 25 V 13 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
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