| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -25.0 V |
| 额定电流 | -120 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 7.9 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | -25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 mA |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 11pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.079Ω @-200mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.65--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. Replace many PNP digital transistors (DTCx and DCDx) with one DMOS FET. 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH）<1.5V。 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。 更换众多PNP数字的晶体管（DTCx和DCDx） 具有一DMOS FET
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.06 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.8 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.16 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.06 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
数字场效应晶体管， P沟道 Digital FET, P-Channel
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 V
ON Semiconductor（安森美）
FD V302P 系列 P沟道 25 V 13 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
