| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.047 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 300 V |
| 漏源击穿电压 | 300 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 59.0 A |
| 上升时间 | 575 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4670pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 W |
| 下降时间 | 200 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.2 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 18.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 49 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
FDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
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