类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 300 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 45.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 625 mW |
增益频宽积 | 100 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
最小电流放大倍数 | 200 @2mA, 5V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 110 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
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