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FDY2000PZ
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FDY2000PZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SC-89-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY2000PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
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FDY2000PZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SC-89-6
针脚数6 Position
漏源极电阻1.2 Ω
极性P-Channel
功耗625 mW
漏源极电压(Vds)20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)350 mA
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)100pF @10V(Vds)
额定功率(Max)446 mW
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.625 W
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FDY2000PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.7 mm
宽度1.2 mm
高度0.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDY2000PZ 数据手册

FDY2000PZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.19 MByte
FDY2000PZ 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.29 MByte
FDY2000PZ 开发手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 1.89 MByte
FDY2000PZ 产品描述及参数
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.19 MByte

FDY2000 数据手册

FDY2000PZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY2000PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
FDY2000PZ 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDY2000PZ, 350 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装
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