FGH40N65UFDTU 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-247-3
描述:	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N65UFDTU 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 650 V, 290 W, 650 V, TO-247AB, 3 引脚
PDF文件:	FGH40N65UFDTU 数据手册 (9 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FGH40N65UFDTU 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FGH40N65UFDTU 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
针脚数	3 Position
功耗	290 W
击穿电压(集电极-发射极)	650 V
反向恢复时间	45 ns
额定功率(Max)	290 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	290 W

查看数据手册 >

FGH40N65UFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	15.6 mm
宽度	4.7 mm
高度	20.6 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FGH40N65UFDTU 符合标准

FGH40N65UFDTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.42 MByte

FGH40N65UFDTU 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.61 MByte

FGH40N65UFDTU 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.15 MByte

FGH40N65 数据手册

FGH40N65UFDTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N65UFDTU 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 650 V, 290 W, 650 V, TO-247AB, 3 引脚

FGH40N65UFDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGH40N65UFDTU-F085 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FGH40N65UFDTU_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FGH40N65UFDTU-F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FGH40N65UFD 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

650V ， 40A场截止IGBT 650V, 40A Field Stop IGBT

FGH40N65UF_F085 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FGH40N65UFD 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号