STP140N6F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:	STP140N6F7 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页 9 页 10 页
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STP140N6F7 数据手册 (13 页)

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STP140N6F7 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	3 mΩ
功耗	110 W
阈值电压	2 V
输入电容	3100 pF
漏源极电压(Vds)	60 V
漏源击穿电压	60 V
上升时间	68 ns
输入电容值(Ciss)	3100pF @10V(Vds)
下降时间	20 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	158W (Tc)

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STP140N6F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.15 mm
工作温度	175℃ (TJ)

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STP140N6F7 符合标准

STP140N6F7 海关信息

STP140N6F7 概述

STP140N6F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.25 MByte

STP140N6F7 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

2 页 / 1.12 MByte

STP140N6F7 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STP140N6F7 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.22 MByte

STP140N6F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.83 MByte

STP140N6F7 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP140N6 数据手册

STP140N6F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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