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FGH80N60FDTU
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FGH80N60FDTU 数据手册 (9 页)
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FGH80N60FDTU 技术参数、封装参数

FGH80N60FDTU 外形尺寸、物理参数、其它

FGH80N60FDTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
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FGH80N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH80N60FDTU  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH80N60FD2TU  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGH80N60FD2TU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
Fairchild(飞兆/仙童)
600V , 80A场截止IGBT 600V, 80A Field Stop IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
600V , 80A场截止IGBT 600V, 80A Field Stop IGBT
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