| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 400 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 400 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.3A |
| 最小电流放大倍数 | 40 |
| 最大电流放大倍数 | 200 |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 500V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 400V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 750mV/0.75V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| High Voltage Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor 描述与应用| 高电压晶体管 NPN外延硅晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2 W, 300 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FJT44KTF , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:40, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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