类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 120 V |
额定电流 | 50.0 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 0.3 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 120 V |
集电极最大允许电流 | 0.05A |
最小电流放大倍数 | 200 @1mA, 6V |
最大电流放大倍数 | 1200 |
额定功率(Max) | 300 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1.04 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FJV1845 系列 120 V 50 mA 表面贴装 NPN 外延 硅 晶体管 - SOT-23-3
Fairchild(飞兆/仙童)
小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJV1845FMTF 单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJV1845FMTF , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=120 V, HFE:150, 110 MHz, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJV1845PMTF , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=120 V, HFE:150, 110 MHz, 3引脚 SOT-23封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件