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FM25CL64B-GATR 数据手册 (20 页)
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FM25CL64B-GATR 技术参数、封装参数

FM25CL64B-GATR 外形尺寸、物理参数、其它

FM25CL64B-GATR 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
20 页 / 0.69 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
372 页 / 1.23 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
8 页 / 0.4 MByte

FM25CL64 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
64Kb,3.65V,SPI串行F-RAM存储器
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-GA  芯片, FRAM, 64KBIT, 16MHZ, 8SOIC
Ramtron
64-Kbit(8K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.65V
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM Memory
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM25CL64B 系列 64 Kb (8 K x 8) 3.3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8
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