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FP25R12W2T4B11BOMA1
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FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-EASY2B-2
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
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FP25R12W2T4B11BOMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数23 Pin
封装AG-EASY2B-2
功耗175 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)1.45nF @25V
额定功率(Max)175 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)175000 mW
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FP25R12W2T4B11BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册

FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.07 MByte
FP25R12W2T4B11BOMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FP25R12W2T4B11BOMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.07 MByte
FP25R12W2T4B11BOMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte

FP25R12W2T4B11 数据手册

FP25R12W2T4_B11 数据手册
Infineon（英飞凌）
IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
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