| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | AG-EASY2B-1 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 1.45nF @25V |
| 额定功率(Max) | 20 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 50 A 20 mW 底座安装 模块
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.78 MByte
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON FP25R12W2T4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, Six N Channel, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, Six N Channel, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
