| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 1.90 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3.6 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 44 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 235 pF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.90 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Fairchild（飞兆/仙童）
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
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N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET
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