FQP6N90C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FQP6N90C 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	900 V
额定电流	6.00 A
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	1.93 Ω
极性	N-Channel
功耗	167 W
阈值电压	5 V
输入电容	1.77 nF
栅电荷	40.0 nC
漏源极电压(Vds)	900 V
漏源击穿电压	900 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	6.00 A
上升时间	90 ns
输入电容值(Ciss)	1770pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	167 W
下降时间	60 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	167W (Tc)

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FQP6N90C 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.1 mm
宽度	4.7 mm
高度	9.4 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQP6N90C 符合标准

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