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FQD4N20LTM
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FQD4N20LTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:FQD4N20LTM 数据手册 (2 页)
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焊盘图
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FQD4N20LTM 数据手册 (2 页)
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FQD4N20LTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流3.20 A
封装TO-252-3
漏源极电阻1.35 Ω
极性N-Channel
功耗2.5W (Ta), 30W (Tc)
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)3.20 A
输入电容值(Ciss)310pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 30W (Tc)
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FQD4N20LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQD4N20LTM 数据手册

FQD4N20LTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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