| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 54 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3.6 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 54 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 235 pF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 54 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 54 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.1 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP2N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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