| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -30.0 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.2 W |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 200 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 56 @5mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 56 |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 56 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 250 MHz |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.8 mm |
| 高度 | 1.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM DTA124EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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内置在偏置电阻器，R 1 = R 2 = 22kï ???? 。 Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 22kï.
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ON Semiconductor（安森美）
数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ON Semiconductor（安森美）
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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