类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 34.0 A |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.1 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 313 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 5.06 nF |
栅电荷 | 212 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 34.0 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 5060pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 313 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 313 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.13 mm |
宽度 | 5.21 mm |
高度 | 21.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.92 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 2.6 MByte
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPW35N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPW35N60CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件