| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 4.80 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 107 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 690pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 107W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP33N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP3P50 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
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