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NDP6030PL
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NDP6030PL 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF文件:NDP6030PL 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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NDP6030PL 数据手册 (4 页)
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NDP6030PL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-30.0 A
封装TO-220-3
极性P-Channel
功耗75W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
输入电容值(Ciss)1570pF @15V(Vds)
额定功率(Max)75 W
耗散功率(Max)75W (Tc)
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NDP6030PL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-65℃ ~ 175℃ (TJ)
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NDP6030PL 数据手册

NDP6030PL 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.05 MByte
NDP6030PL 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

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