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FQP4N60
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FQP4N60 数据手册 (8 页)
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FQP4N60 技术参数、封装参数

FQP4N60 外形尺寸、物理参数、其它

FQP4N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.51 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
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FQP4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP4P40  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -400 V, 2.44 ohm, -10 V, -5 V 新
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP45N15V2  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 150 V, 34 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP47P06 系列 60 V 0.026 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP44N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP47P06  晶体管, MOSFET, P沟道, -47 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -4 V 新
ON Semiconductor(安森美)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP46N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 45.6 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
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