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FQP630
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FQP630 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQP630 数据手册 (8 页)
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焊盘图
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FQP630 数据手册 (8 页)
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FQP630 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)200 V
额定电流9.00 A
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗78 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间75 ns
输入电容值(Ciss)550pF @25V(Vds)
额定功率(Max)78 W
下降时间64 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)78W (Tc)
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FQP630 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.7 mm
高度16.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQP630 数据手册

FQP630 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.71 MByte
FQP630 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.64 MByte
FQP630 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
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