FQPF2N60 数据手册 - Freescale（飞思卡尔）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.7 ohm, 10 V, 4 V

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF20N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.7 A, 60 V, 0.042 ohm, 10 V, 1 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF27P06  晶体管, MOSFET, P沟道, -17 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF2N80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 6.3 ohm, 10 V, 5 V

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。