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IXGT6N170AHV
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IXGT6N170AHV 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-268-3
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXGT6N170AHV 数据手册 (5 页)
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IXGT6N170AHV 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-268-3
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
额定功率(Max)75 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)75000 mW

IXGT6N170AHV 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGT6N170AHV 数据手册

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IXYS Semiconductor
5 页 / 0.19 MByte

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