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FQPF7N80C
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FQPF7N80C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FQPF7N80C 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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FQPF7N80C 数据手册 (12 页)
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FQPF7N80C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流6.60 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻1.57 Ω
极性N-Channel
功耗56 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)6.60 A
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)1680pF @25V(Vds)
额定功率(Max)56 W
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)56W (Tc)
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FQPF7N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.16 mm
宽度4.7 mm
高度9.19 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQPF7N80C 数据手册

FQPF7N80C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
12 页 / 0.96 MByte
FQPF7N80C 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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FQPF7N80C 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.27 MByte

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