| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -9.40 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 185 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 38 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -9.40 A |
| 输入电容值(Ciss) | 550pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 2.3 mm |
| 高度 | 6.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 1.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
11 页 / 1.31 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.5 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06TU 晶体管, P沟道
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
