| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 功耗 | 2.1 W |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 130pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1.7 mm |
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT1N60CTF_WS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET QFET 600V ， 0.2 A ， 11.5欧姆 N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET QFET 600V ， 0.2 A ， 11.5欧姆 N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
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