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STGP8NC60K
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STGP8NC60K 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:N沟道600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO- 220短路额定IGBT的PowerMESH N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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STGP8NC60K 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)65 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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STGP8NC60K 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGP8NC60K 数据手册

STGP8NC60K 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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