类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 2.00 A |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 0.5 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
最小电流放大倍数 | 200 @1A, 2V |
额定功率(Max) | 500 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 320mV/0.32V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和晶体管 高电流增益
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