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NTZS3151PT1G
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NTZS3151PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-563-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTZS3151PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, -860 mA, -20 V, 120 mohm, -4.5 V, -1 V 新
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NTZS3151PT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-950 mA
封装SOT-563-6
通道数1 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.12 Ω
极性P-Channel
功耗210 mW
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)-950 mA
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)458pF @16V(Vds)
额定功率(Max)170 mW
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)170mW (Ta)
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NTZS3151PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.7 mm
宽度1.3 mm
高度0.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTZS3151PT1G 数据手册

NTZS3151PT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
NTZS3151PT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
39 页 / 2.8 MByte
NTZS3151PT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.29 MByte
NTZS3151PT1G 其他参考文件
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte

NTZS3151PT1 数据手册

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ON SEMICONDUCTOR  NTZS3151PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, -860 mA, -20 V, 120 mohm, -4.5 V, -1 V 新
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