| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 75 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -2.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 500 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 250 @500mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 250~550 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. 描述与应用| 低饱和PNP晶体管 这些设备的设计与高电流增益和低饱和电压与集电极电流高达2A的连续。
Fairchild（飞兆/仙童）
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PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FSB660A , PNP 晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:40, 75 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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