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MUN5111DW1T1G
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MUN5111DW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-88-6
描述:ON Semiconductor ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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MUN5111DW1T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-50.0 V
额定电流-100 mA
封装SC-88-6
无卤素状态Halogen Free
极性PNP, P-Channel
功耗0.385 W
击穿电压(集电极-发射极)50 V
集电极最大允许电流100mA
最小电流放大倍数35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数35 @5mA, 10V
额定功率(Max)250 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)385 mW
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MUN5111DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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MUN5111DW1T1G 数据手册

MUN5111DW1T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.07 MByte
MUN5111DW1T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.15 MByte
MUN5111DW1T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.05 MByte
MUN5111DW1T1G 产品手册
ON Semiconductor（安森美）
20 页 / 0.22 MByte

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