| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | TSOP-48 |
| 针脚数 | 48 Position |
| 位数 | 8, 16 Bit |
| 存取时间 | 70 ns |
| 内存容量 | 1000000 B |
| 存取时间(Max) | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
M29W800DT70N6E是一款8Mb 3V电源非易失性闪存. 读取, 擦除和重新编程操作可以使用2.7至3.6V单电压执行. 上电时, 存储器默认为读取模式, 可以采用与ROM或EPROM相同的方式读取. 存储器被分成可以独立擦除的块, 因此可以在擦除旧数据时保留有效数据. 可以单独保护每个块, 以防止意外写入或擦除命令修改存储器. 编程和擦除命令被写入存储器的命令接口. 片上编程/擦除控制器通过用于执行存储器内容所需的所有操作, 简化了编程或擦除存储器的过程. 可以检测编程或擦除操作是否结束, 并识别任何错误条件. 控制存储器所需的命令集与符合JEDEC标准.
● 编程/擦除控制器 - 嵌入式字节/字编程算法
● 解锁旁路编程命令 - 更快的批量编程
● 临时扇区无保护模式
● 低功耗 - 待机和自动待机
● 每个扇区100000次编程/擦除周期
Micron（镁光）
52 页 / 1.04 MByte
Micron（镁光）
57 页 / 1.11 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
Micron（镁光）
MICRON M29W800DT70N6E 闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
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