| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | 62MM-2 |
| 功耗 | 4.3 kW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 56nF @25V |
| 额定功率(Max) | 4300 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 4300000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 900 A 4300 W 底座安装 模块
Infineon（英飞凌）
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62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 1.2 kV, Module
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