| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 170 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube, Rail |
| 长度 | 15.9 mm |
| 宽度 | 4.8 mm |
| 高度 | 20 mm |
IGBT 分立，Toshiba
●### IGBT 分立件和模块，Toshiba
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Genitop（上海高通）
SPI时钟频率：20MHz(max.) PLII访问速度：130ns(max.) @3.3V 工作电压：2.7V~3.6V
Toshiba（东芝）
TOSHIBA GT30J324 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.45 V, 170 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚
Genitop（上海高通）
SPI时钟频率：20MHz(max.) PLII访问速度：130ns(max.) @3.3V 工作电压：2.7V~3.6V
Genitop（上海高通）
30MHz(max.) @3.3V 工作电压：2.7V~3.6V
Toshiba（东芝）
IGBT 分立，Toshiba### IGBT 分立件和模块，Toshiba绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Toshiba（东芝）
IGBT 分立，Toshiba### IGBT 分立件和模块，Toshiba绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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