| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.245Ω @-1A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| • Low on-resistance RDS(on) = 41 mΩ typ. (at VGS = –4.5 V) • Low drive current. • 1.8 V gate drive devices. • High density mounting 描述与应用| •低导通电阻 RDS（ON） = 41MΩ（典型值）。 （VGS=-4.5 V） •低驱动电流。 •1.8 V门驱动装置。 •高密度安装
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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硅P沟道MOS场效应管电源开关 Silicon P Channel MOS FET Power Switching
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