| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V 最大漏极电流Id Drain Current | 2.5A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | RDS(on) = 75 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V) 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 800MW/0.8W 描述与应用 Description & Applications | 硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管 电源转换装置 低导通电阻 低驱动电流 高密度安装 2.5 V门驱动装置
Renesas Electronics（瑞萨电子）
7 页 / 0.08 MByte
Renesas Electronics（瑞萨电子）
硅N沟道MOS FET电源开关 Silicon N Channel MOS FET Power Switching
Renesas Electronics（瑞萨电子）
HAT2240C N 沟道场效应管 60V 2.5A SOT363 代码 UK 低导通电阻 低驱动电流
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
