| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 8.00 V |
| 额定电流 | 65.0 mA |
| 封装 | QFN-16 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.065A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @10mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
Intersil（英特矽尔）
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Intersil（英特矽尔）
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Array
Intersil（英特矽尔）
Intersil晶体管之间完全隔离 ### 双极晶体管，Intersil
Intersil（英特矽尔）
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Intersil（英特矽尔）
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Renesas Electronics（瑞萨电子）
晶体管阵列，Intersil晶体管之间完全隔离### 双极晶体管，Intersil
Renesas Electronics（瑞萨电子）
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL
Intersil（英特矽尔）
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
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