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IPP60R160P6XKSA1
来自 AiPCBA

IPP60R160P6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IPP60R160P6XKSA1 数据手册 (19 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPP60R160P6XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率176 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.144 Ω
极性N-CH
功耗176 W
阈值电压4 V
输入电容2080 pF
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)23.8A
上升时间7.6 ns
输入电容值(Ciss)2080pF @100V(Vds)
下降时间5.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)176W (Tc)
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IPP60R160P6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPP60R160P6XKSA1 数据手册

IPP60R160P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 3.06 MByte
IPP60R160P6XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.1 MByte
IPP60R160P6XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
27 页 / 1.55 MByte

IPP60R160P6 数据手册

IPP60R160P6 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,160mΩ,23.8A,N沟道功率MOSFET
IPP60R160P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V
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