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HGTG30N60B3D
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HGTG30N60B3D 数据手册 (8 页)
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HGTG30N60B3D 技术参数、封装参数

HGTG30N60B3D 外形尺寸、物理参数、其它

HGTG30N60B3D 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.57 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.51 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

HGTG30N60B3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60B3  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
Intersil(英特矽尔)
60A , 600V , UFS系列N沟道IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60B3D..  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
60A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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