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RSJ250P10TL
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RSJ250P10TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
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RSJ250P10TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻45 mΩ
极性P-Channel
功耗50 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)25A
上升时间67 ns
输入电容值(Ciss)8000pF @25V(Vds)
下降时间180 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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RSJ250P10TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度10.1 mm
宽度9 mm
高度4.5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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RSJ250P10TL 数据手册

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晶体管, MOSFET, P沟道, -25 A, -100 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V
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