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HGTG5N120BND
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HGTG5N120BND 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-247-3
PDF文件:HGTG5N120BND 数据手册 (8 页)
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焊盘图
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HGTG5N120BND 数据手册 (8 页)
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HGTG5N120BND 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗167000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
反向恢复时间65 ns
额定功率(Max)167 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)167000 mW
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HGTG5N120BND 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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HGTG5N120BND 数据手册

HGTG5N120BND 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.19 MByte
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