类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.026 Ω |
功耗 | 128 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 1060pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 128 W |
下降时间 | 33 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 128 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 2.39 mm |
高度 | 7.49 mm |
UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor
●UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
●应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.65 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75329D3ST. 场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 20A
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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