类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 60.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 145 W |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 0.016 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 145 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
上升时间 | 90 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 145 W |
下降时间 | 45 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 145W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET功率MOSFET N-Channel UltraFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
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Intersil(英特矽尔)
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