STP18N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STP18N60M2 数据手册 (18 页)

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STP18N60M2 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.28 Ω
功耗	110 W
阈值电压	3 V
漏源极电压(Vds)	600 V
上升时间	9 ns
输入电容值(Ciss)	791pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	110 W
下降时间	10.6 ns
工作温度(Max)	150 ℃
耗散功率(Max)	110W (Tc)

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STP18N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	15.75 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP18N60M2 符合标准

STP18N60M2 海关信息

STP18N60M2 概述

STP18N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.5 MByte

STP18N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.15 MByte

STP18N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.17 MByte

STP18N60M2 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP18N60 数据手册

STP18N60M2 数据手册

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STP18N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 新

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