| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 56.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.025 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 2.00 nF |
| 栅电荷 | 57.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 56.0 A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75639P3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639P3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild（飞兆/仙童）
56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor（安森美）
HUF75639S3S 系列 N 沟道 100 V 0.025 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB
Fairchild（飞兆/仙童）
56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild（飞兆/仙童）
UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Intersil（英特矽尔）
56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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